鋁及鋁合金的化學拋光。為獲得光亮的表面，必須嚴格控制拋光液xiao酸的含量。xiao酸含量過低，拋光速度慢且拋光后表面光澤性差;xiao酸含量過高，容易發生鱗狀腐蝕。lin酸濃度低時，不能獲得光亮的表面，為了防止溶液被稀釋，拋光前的零件表面應干燥。醋酸和liu酸可以抑制點狀腐蝕，使拋光表面均勻、細致。liu酸銨和尿素可以減少氧化氮的析出，并有助于改善拋光質量。少量的銅離子可以防止過腐蝕，從而提高拋光表面的均勻性，但含量過高又會降低拋光表面的反光能力。鉻酐可以提高鋁鋅銅合金的拋光質量，含鋅、銅絲高的強度鋁合金在不含鉻酐的拋光液中，難以獲得光亮的表面。

拋光加工的機理

拋光切削加工、塑性加工和化學作用的綜合過程。 微細磨粒進行的是切削加工，摩擦引起高溫而產生擠擦工件表面層的是塑性加工，拋光劑的介質在溫度和壓力作用下與金屬表面層發生的是化學作用。

拋光加工的種類

1、機械拋光：機械拋光是靠切削、材料表面塑性變形去掉被拋光后的凸部而得到平滑面的拋光方法

2、化學拋光：化學拋光是讓材料在化學介質中表面微觀凸出的部分較凹部分優先溶解，從而得到平滑面。

3、電解拋光：電解拋光基本原理與化學拋光相同，即靠選擇性的溶解材料表面微小凸出部分，使表面光滑。

4、超聲波拋光 ：將工件放入磨料懸浮液中并一起置于超聲波場中，依靠超聲波的振蕩作用，使磨料在工件表面磨削拋光。

5、流體拋光 ：流體拋光是依靠高速流動的液體及其攜帶的磨粒沖刷工件表面達到拋光的目的。

多晶金剛石拋光液多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質產生劃傷。主要應用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。氧化硅拋光液氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導體材料、磷化銦，精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。