脈沖激光沉積系統配置介紹

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脈沖激光沉積系統配置：

生長室，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達100Pa可預留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項如臭氧發生器，離子源，掩膜系統等。主要用途：用于制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。