四氟化碳物理性質 :

   熔點-183.6℃，

   分子式是CF4,

　　沸點-128.1℃，

　　液體密度(-130℃)1.613g/cm3，

　　液體折光率(-173℃)1.515，

　　固體轉變點72.2K，

　　臨界溫度-45.67℃，

　　臨界壓力3.73MPa，

   蒸氣壓（-150.7℃）13.33kPa

  介電常數（25℃，0.5MPa）1.0006

　　臨界密度：7.1dm3/mol

　　標準摩爾自由能：-929.84 kJ/mol

　　標準摩爾生成自由能：-887.41 kJ/mol

   危險性類別：第2.2類不燃氣體

反應放熱后，氟開始和碳化硅進行反應，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應繼續進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質和半導體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應離子刻蝕時，通過調節兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

隨著芯片制程向7納米邁進，細微雜質對芯片的損害更為明顯，電子產業對高純電子氣體的純度要求進一步提高，在此背景下，我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項：氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監察規程》的規定。氣瓶內的氣體不能全部用盡，應該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯網市場仍在不斷擴大，光伏發電累計裝機容量不斷上升，預計2020-2025年，我國高純四氟化碳市場需求將繼續以10.0%以上的增速增長。